DZT955-13
规格信息:

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:140 V

集电极—基极电压 VCBO:180 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

最大直流电集电极电流:4 A

增益带宽产品fT:150 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:DZT955

高度:1.6 mm

长度:6.5 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:3.5 mm

商标:Diodes Incorporated

Pd-功率耗散:1000 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:112 mg

型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
DZT955-13LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC网196.42 Kbytes共4页DZT955-13的PDF文件地址 DZT955-13的PDF第一页预览图片 产品购买
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