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    CS8N65F
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    商品目录MOS(场效应管)

    介绍图CS8N65F
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    CS8N65FConvert Semiconductor(锴威特半导体)Convert Semiconductor(锴威特半导体)的LOGO-天天IC网648.52 Kbytes共8页CS8N65F的PDF文件地址 CS8N65F的PDF第一页预览图片 产品购买
    CS8N65FA9H连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道华润华晶华润华晶的LOGO-天天IC网234.29 Kbytes共10页CS8N65FA9H的PDF文件地址 CS8N65FA9H的PDF第一页预览图片 产品购买
    CS8N65F-BConvert Semiconductor(锴威特半导体)Convert Semiconductor(锴威特半导体)的LOGO-天天IC网428.61 Kbytes共9页CS8N65F-B的PDF文件地址 CS8N65F-B的PDF第一页预览图片 产品购买
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