CBR08C639CCGAC
规格信息:

老化率:0% Loss/Decade Hour

底座宽度:0.5mm ±0.2mm

描述:SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I

抗电强度:750 V

DF耗散系数:0.0019

特征:Ultra High Q, Low ESR, Class I

绝缘电阻:10 GOhms

宽度:2mm ±0.2mm

其他:Minimum Q = 926

Notes:Solder Wave or Solder Reflow

包装:T&R, 180mm, Plastic Tape

Quality Factor:926

RoHS:Yes

系列:CBR-SMD RF C0G

T:0.85mm ±0.1mm

工作温度:-55°C ~ 125°C

Termination:Tin

引脚宽度:1.25mm ±0.2mm

电压:500V

偏差:±0.25pF

容值:6.3pF

封装/外壳:0805

温度系数:C0G

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

介绍图CBR08C639CCGAC
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CBR08C639CCGAC多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 500V 6.3pF C0G 0805 0.25pFKEMETKEMET的LOGO-天天IC网1.97 Mbytes共18页CBR08C639CCGAC的PDF文件地址 CBR08C639CCGAC的PDF第一页预览图片 产品购买
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