BUK765R0-100E PDF文件_BUK765R0-100E规格信息

BUK765R0-100E
规格信息：

晶体管极性：:N Channel

Continuous Drain Current Id：:120A

Drain Source Voltage Vds：:100V

On Resistance Rds(on)：:0.0039ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:10V

Threshold Voltage Vgs：:3V

功耗：:357W

Operating Temperature Min：:-55°C

Operating Temperature Max：:175°C

Transistor Case Style：:TO-263

No. of Pins：:3

MSL：:MSL 1 - Unlimited

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)

工作温度范围：:-55°C to +175°C

Weight (kg)：0.001454

Tariff No.：85412900

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	产品购买
BUK765R0-100E	N-channel TrenchMOS standard level FET	NXP[NXP Semiconductors]	236.84 Kbytes	共14页	产品购买
BUK765R0-100E	N-channel TrenchMOS standard level FET	PHILIPS[NXP Semiconductors]	236.84 Kbytes	共14页	产品购买
BUK765R0-100E,118	MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET	Nexperia	719.34 Kbytes	共13页	产品购买
BUK765R0-100E,118	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK	Nexperia USA Inc.	720.34 Kbytes	共13页	产品购买
BUK765R0-100E,118	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：357W(Tc) 类型：N沟道	Nexperia(安世)	720.34 Kbytes	共13页	产品购买
BUK765R0-100E_15	N-channel TrenchMOS standard level FET	PHILIPS[NXP Semiconductors]	236.84 Kbytes	共14页	产品购买