BCR112F
规格信息:

制造商:Infineon

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

配置:Single

晶体管极性:NPN

典型电阻器比率:1

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSFP-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:20

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:100 mA

峰值直流集电极电流:100 mA

最大工作温度:+ 150 C

商标:Infineon Technologies

发射极 - 基极电压 VEBO:10 V

最小工作温度:- 65 C

Pd-功率耗散:250 mW

介绍图BCR112F
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
BCR112FNPN Silicon Digital Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC网206.83 Kbytes共9页BCR112F的PDF文件地址BCR108,BCR135,BCR114,SEMD4,BCR108S,BCR135S,BCR116,SEMD6,BCR108W,BCR135W BCR112F的PDF第一页预览图片 产品购买
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