通道类型：N

最大连续漏极电流：180 A

最大漏源电压：75 V

最大漏源电阻值：3.8 m0hms

最大栅阈值电压：4V

最小栅阈值电压：2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

安装类型：表面贴装

引脚数目：7

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：300 W

宽度：10.05mm

典型接通延迟时间：21 ns

典型关断延迟时间：92 ns

典型输入电容值@Vds：7580 pF@ 25 V

典型栅极电荷@Vgs：170 nC @ 10 V

晶体管材料：Si

系列：HEXFET

每片芯片元件数目：1

最高工作温度：+175 °C

长度：10.35mm

高度：4.55mm

尺寸：10.35 x 10.05 x 4.55mm

最低工作温度：-55 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs