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    18N50MF
    规格信息：

    商品类型MOS(场效应管)

    漏源电压（Vdss）500V

    连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A(Tc)

    栅源极阈值电压5V @ 250uA

    漏源导通电阻350mΩ @ 9A,10V

    最大功率耗散（Ta=25°C）55W(Tc)

    类型N沟道

    介绍图18N50MF
    型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
    18N50MF连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道PINGWEI(平伟)PINGWEI(平伟)的LOGO-天天IC网557.92 Kbytes共7页18N50MF的PDF文件地址 18N50MF的PDF第一页预览图片 产品购买
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