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    13N50L-TF1-T
    规格信息：

    商品类型MOS(场效应管)

    漏源电压（Vdss）500V

    连续漏极电流（Id）（25°C 时）13A(Tc)

    栅源极阈值电压4V @ 250uA

    漏源导通电阻480mΩ @ 6.5A,10V

    最大功率耗散（Ta=25°C）35W(Tc)

    类型N沟道

    介绍图13N50L-TF1-T
    型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
    13N50L-TF1-T500V N-CHANNEL MOSFET UTC[Unisonic Technologies]UTC[Unisonic Technologies]的LOGO-天天IC网178.55 Kbytes共6页13N50L-TF1-T的PDF文件地址 13N50L-TF1-T的PDF第一页预览图片 产品购买
    13N50L-TF1-T13A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET UTC[Unisonic Technologies]UTC[Unisonic Technologies]的LOGO-天天IC网221.76 Kbytes共6页13N50L-TF1-T的PDF文件地址 13N50L-TF1-T的PDF第一页预览图片 产品购买
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