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MOSFET
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OM6N100SA

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OM6N100SA数据手册
OM6N100SA参数信息
参数参数值
制造商
International Rectifier
产品种类
MOSFET
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
1000 V
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
晶体管极性
N-Channel
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-254AA-3
商标
International Rectifier
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降时间
25 ns
最小工作温度
- 55 C
上升时间
55 ns
典型接通延迟时间
65 ns
介绍图
OM6N100SA代理商/分销商
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深圳辰亿电子有限公司
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深圳市骏凯诚科技有限公司朱小姐
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深圳市会林科技有限公司王先生
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深圳市正芯锐电子科技有限公司苏小姐
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