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J175_D75Z
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J175_D75Z参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
标准包装：
|
2,000
|
|
类别：
|
分立半导体产品
|
|
家庭：
|
JFET（结点场效应
|
|
系列：
|
-
|
|
包装：
|
带盒（TB）
|
|
FET 类型：
|
P 沟道
|
|
电压 - 击穿（V（BR）GSS）：
|
30V
|
|
漏源极电压（Vdss）：
|
-
|
|
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：
|
7mA @ 15V
|
|
漏极电流（Id） - 最大值：
|
-
|
|
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：
|
3V @ 10nA
|
|
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：
|
-
|
|
电阻 - RDS（开）：
|
125 欧姆
|
|
安装类型：
|
通孔
|
|
封装/外壳：
|
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
|
|
供应商器件封装：
|
TO-92-3
|
|
功率 - 最大值：
|
350mW
|
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