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IRLML6244TRPBF
图片仅供参考， 请参阅产品规格
IRLML6244TRPBF
- Single N-Channel 20 V 1.3 W 8.9 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3
- Infineon Technologies
- IRLML6244TRPBF代理商/分销商
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IRLML6244TRPBF参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
封装/外壳：
|
SOT23
|
|
FET 类型：
|
N 沟道
|
|
技术：
|
MOSFET（金属氧化物）
|
|
漏源电压（Vdss）：
|
20V
|
|
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
|
6.3A（Ta）
|
|
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
|
2.5V，4.5V
|
|
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
|
21 毫欧 @ 6.3A，4.5V
|
|
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
|
1.1V @ 10µA
|
|
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
|
8.9nC @ 4.5V
|
|
Vgs（最大值）：
|
±12V
|
|
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
|
700pF @ 16V
|
|
功率耗散（最大值）：
|
1.3W（Ta）
|
|
工作温度：
|
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
安装类型：
|
表面贴装
|
|
系列：
|
HEXFET®
|
|
FET类型：
|
N 沟道
|
|
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：
|
6.3A（Ta）
|
|
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：
|
2.5V，4.5V
|
|
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：
|
1.1V @ 10µA
|
|
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
|
8.9nC @ 4.5V
|
|
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
|
700pF @ 16V
|
|
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：
|
21 毫欧 @ 6.3A，4.5V
|
|
封装形式Package：
|
SOT-23
|
|
极性Polarity：
|
N-CH
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|
漏源极击穿电压VDSS：
|
20V
|
|
连续漏极电流ID：
|
6.3A
|
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供应商器件封装：
|
Micro3™/SOT-23
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电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：
|
4.5V
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电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：
|
16V
|
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无铅情况/RoHs：
|
无铅/符合RoHs
|
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