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IRFZ48STRL
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IRFZ48STRL数据手册
IRFZ48STRL参数信息
参数参数值
FET 类型:
N 沟道
技术:
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
110nC @ 10V
Vgs(最大值):
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
2400pF @ 25V
功率耗散(最大值):
3.7W(Ta),190W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
18 毫欧 @ 43A,10V
工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:
表面贴装
供应商器件封装:
D2PAK
封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
无铅情况/RoHs:
无铅/符合RoHs
介绍图
IRFZ48STRL代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市安富世纪电子有限公司杨丹妮
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深圳市百视威讯电子科技有限公司董先生
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  • 电话:
深圳市斌腾达科技有限公司朱正军
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  • 电话:
深圳市辉华拓展电子有限公司陈玲玲
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  • 电话:
深圳市惊羽科技有限公司彭小姐
  • 手机:
  • 电话:
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