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IRFZ44ZSTRRPBF
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IRFZ44ZSTRRPBF
- Single N-Channel 55 V 80 W 43 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - D2PAK-3
- Infineon Technologies
- IRFZ44ZSTRRPBF代理商/分销商
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IRFZ44ZSTRRPBF参数信息
参数 | 参数值 |
封装/外壳:
|
D2PAK
|
FET 类型:
|
N 沟道
|
技术:
|
MOSFET(金属氧化物)
|
漏源电压(Vdss):
|
55V
|
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
|
51A(Tc)
|
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
|
10V
|
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
|
13.9 毫欧 @ 31A,10V
|
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
|
4V @ 250µA
|
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
|
43nC @ 10V
|
Vgs(最大值):
|
±20V
|
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
|
1420pF @ 25V
|
功率耗散(最大值):
|
80W(Tc)
|
工作温度:
|
-55°C ~ 175°C(TJ)
|
安装类型:
|
表面贴装
|
系列:
|
HEXFET®
|
FET类型:
|
N 沟道
|
电流-连续漏极(Id)(25°C时):
|
51A(Tc)
|
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):
|
10V
|
不同Id时的Vgs(th)(最大值):
|
4V @ 250µA
|
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
|
43nC @ 10V
|
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):
|
1420pF @ 25V
|
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):
|
13.9 毫欧 @ 31A,10V
|
封装形式Package:
|
D2PAK
|
极性Polarity:
|
N-CH
|
漏源极击穿电压VDSS:
|
55V
|
连续漏极电流ID:
|
51A
|
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
|
43nC
|
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:
|
10V
|
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
|
1420pF
|
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:
|
25V
|
供应商器件封装:
|
D2PAK
|
无铅情况/RoHs:
|
无铅/符合RoHs
|
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