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型号: IRFZ34NSTRLPBF
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
代理商: IRFZ34NSTRLPBF供应商

详细参数

封装/外壳:D2PAK
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):29A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):34nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 25V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),68W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):40 毫欧 @ 16A,10V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
系列:HEXFET®
FET类型:N 沟道
电流-连续漏极(Id)(25°C时):29A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):34nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 25V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):40 毫欧 @ 16A,10V
封装形式Package:D2PAK
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:55V
连续漏极电流ID:29A
供应商器件封装:D2PAK
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V
无铅情况/RoHs:

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