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型号: IRFZ24STRR
功能描述:
制造商: Vishay
代理商: IRFZ24STRR供应商

详细参数

FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):25nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):640pF @ 25V
功率耗散(最大值):3.7W(Ta),60W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 10A,10V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

代理商

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上海慈旺电子有限公司余维春13801626111
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深圳市德通信飞科技有限公司周运洁13410377936
0755-23760360
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