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功率 MOSFET
图片仅供参考， 请参阅产品规格
IPB65R280C6ATMA1
- Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB65R280C6ATMA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
- Infineon Technologies
- IPB65R280C6ATMA1代理商/分销商
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IPB65R280C6ATMA1参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
FET 类型：
|
N 沟道
|
|
技术：
|
MOSFET（金属氧化物）
|
|
漏源电压（Vdss）：
|
650V
|
|
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
|
13.8A（Tc）
|
|
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
|
10V
|
|
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
|
3.5V @ 440µA
|
|
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
|
45nC @ 10V
|
|
Vgs（最大值）：
|
±20V
|
|
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
|
950pF @ 100V
|
|
功率耗散（最大值）：
|
104W（Tc）
|
|
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
|
280 毫欧 @ 4.4A，10V
|
|
工作温度：
|
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
安装类型：
|
表面贴装
|
|
供应商器件封装：
|
D²PAK（TO-263AB）
|
|
封装/外壳：
|
PG-TO263-3
|
|
通道类型：
|
N
|
|
最大连续漏极电流：
|
13.8 A
|
|
最大漏源电压：
|
700 V
|
|
最大漏源电阻值：
|
0.28 0hms
|
|
最大栅阈值电压：
|
3.5V
|
|
最小栅阈值电压：
|
2.5V
|
|
最大栅源电压：
|
-20 V、+20 V
|
|
封装类型：
|
D2PAK (TO-263)
|
|
引脚数目：
|
3
|
|
晶体管配置：
|
单
|
|
通道模式：
|
增强
|
|
类别：
|
功率 MOSFET
|
|
最大功率耗散：
|
104 W
|
|
高度：
|
4.57mm
|
|
每片芯片元件数目：
|
1
|
|
尺寸：
|
10.31 x 9.45 x 4.57mm
|
|
宽度：
|
9.45mm
|
|
系列：
|
CoolMOS C6
|
|
晶体管材料：
|
Si
|
|
典型栅极电荷@Vgs：
|
45 nC @ 10 V
|
|
典型输入电容值@Vds：
|
950 pF @ 100 V
|
|
典型关断延迟时间：
|
105 ns
|
|
典型接通延迟时间：
|
13 ns
|
|
最低工作温度：
|
-55 °C
|
|
最高工作温度：
|
+150 °C
|
|
长度：
|
10.31mm
|
|
无铅情况/RoHs：
|
无铅/符合RoHs
|
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