鹏顺兴客服
天天IC网LOGO
报价最快 拒绝打扰
当前位置:首页详细参数导航第506页
HUF75344G3图片

图像仅供参考

型号: HUF75344G3
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
代理商: HUF75344G3代理商/分销商

详细参数

产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
标准包装:30
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:UltraFET??
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):210nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3200pF @ 25V
功率 - 最大值:285W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247

代理商

代理商联系人联系电话在线联系
深圳市汇思成科技有限公司孙小姐,邹小姐13632962857
0755-23619322
Email:2096765516@qq.com
深圳亚泰盈科电子有限公司钟丽君13928452225
0755-83794866
skype:微信13725557767Email:284529703@QQ.COM
深圳市鹏顺兴科技有限公司朱先生15820482989
0755-23042311,0755-23063133,0755-23123306
Email:15820482989@163.com
深圳市华芯盛世科技有限公司朱R86-13723794312
0755-23941632-83226005
Email:PHZHUJUNWEI@163.COM
深圳市芯泽盛世科技有限公司李先生18822854608
0755-83225692
Email:2119980731@qq.com
深圳市辉华拓展电子有限公司林欣13510204226,exmail:sam@678ic.com
0755-82790891
skype:live:sam_6928Email:sam@678ic.com
深圳市辉华拓展电子有限公司林先生18188616607,exmail:sam@678ic.com
0755-83286882
skype:live:sam_6928Email:sam@678ic.com
深圳市龙时佳电子有限公司黄濠13590233839
0755-82546525,82799490
Email:617710873@qq.com

同类型产品

  • HUF75545S3ST
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing; 标准包装:800; 类别:分立半导体产品; 家庭:FET - 单; 系列:UltraFET??; 包装:带卷(TR); FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物; FET 功能:逻辑电平门; 漏源极电压(Vdss):80V; 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc); 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 75A,10V; 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA; 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):235nC @ 20V; 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3750pF @ 25V; 功率 - 最大值:270W; 安装类型:表面贴装; 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB; 供应商器件封装:D²PAK; 其它名称:HUF75545S3ST-NDHUF75545S3STTR
  • HUF75617D3
  • FET 类型:N 沟道; 技术:MOSFET(金属氧化物); 漏源电压(Vdss):100V; 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc); 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V; 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA; 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC @ 20V; Vgs(最大值):±20V; 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):570pF @ 25V; 功率耗散(最大值):64W(Tc); 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 16A,10V; 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ); 安装类型:通孔; 供应商器件封装:TO-251AA; 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA; 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
  • HUF75617D3S
  • FET 类型:N 沟道; 技术:MOSFET(金属氧化物); 漏源电压(Vdss):100V; 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc); 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V; 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA; 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC @ 20V; Vgs(最大值):±20V; 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):570pF @ 25V; 功率耗散(最大值):64W(Tc); 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 16A,10V; 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ); 安装类型:表面贴装; 供应商器件封装:TO-252AA; 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63; 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
  • HUF75617D3ST
  • FET 类型:N 沟道; 技术:MOSFET(金属氧化物); 漏源电压(Vdss):100V; 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc); 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V; 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA; 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC @ 20V; Vgs(最大值):±20V; 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):570pF @ 25V; 功率耗散(最大值):64W(Tc); 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 16A,10V; 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ); 安装类型:表面贴装; 供应商器件封装:TO-252AA; 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63; 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
  • HUF75623P3
  • FET 类型:N 沟道; 技术:MOSFET(金属氧化物); 漏源电压(Vdss):100V; 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc); 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V; 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA; 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):52nC @ 20V; Vgs(最大值):±20V; 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):790pF @ 25V; 功率耗散(最大值):85W(Tc); 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):64 毫欧 @ 22A,10V; 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ); 安装类型:通孔; 供应商器件封装:TO-220AB; 封装/外壳:TO-220-3; 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
  • HUF75623S3
  • 关注官方微信
  • 天天IC网官方微信
  • 联系我们
  • 电话:13714778017
  • 周一至周日:9:00-23:00
  • 在线客服: QQ图标 QQ图标

由深圳市四方好讯科技有限公司独家运营

天天IC网 ( www.ttic.cc ) 版权所有©2014-2019 | 粤ICP备15059004号 

安网LOGO 报警LOGO