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FQA10N80C
图片仅供参考, 请参阅产品规格
FQA10N80C参数信息
参数 | 参数值 |
FET 类型:
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N 沟道
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技术:
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MOSFET(金属氧化物)
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漏源电压(Vdss):
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800V
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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10A(Tc)
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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5V @ 250µA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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58nC @ 10V
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Vgs(最大值):
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±30V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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2800pF @ 25V
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功率耗散(最大值):
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240W(Tc)
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不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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1.1 欧姆 @ 5A,10V
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工作温度:
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-55°C ~ 150°C(TJ)
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安装类型:
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通孔
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供应商器件封装:
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TO-3P
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封装/外壳:
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TO-3P-3,SC-65-3
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无铅情况/RoHs:
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无铅/符合RoHs
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