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FQA10N80C
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FQA10N80C

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FQA10N80C数据手册
FQA10N80C参数信息
参数参数值
FET 类型:
N 沟道
技术:
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):
800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
58nC @ 10V
Vgs(最大值):
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
2800pF @ 25V
功率耗散(最大值):
240W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
1.1 欧姆 @ 5A,10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:
通孔
供应商器件封装:
TO-3P
封装/外壳:
TO-3P-3,SC-65-3
无铅情况/RoHs:
无铅/符合RoHs
介绍图
FQA10N80C代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司销售总监王小姐
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司罗先生
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司刘锋
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深圳振宏微科技有限公司
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  • 电话:
深圳市羿芯诚电子有限公司谢小姐
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