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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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D1031UK
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-500MHz SE
- Semelab / TT Electronics
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D1031UK参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
制造商
|
TT Electronics
|
|
产品种类
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
晶体管极性
|
N-Channel
|
|
技术
|
Si
|
|
Id-连续漏极电流
|
5 A
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
70 V
|
|
增益
|
13 dB
|
|
输出功率
|
10 W
|
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
|
封装 / 箱体
|
F-0127-8
|
|
配置
|
Single
|
|
高度
|
2.31 mm
|
|
长度
|
6.5 mm
|
|
工作频率
|
500 MHz
|
|
类型
|
RF Power MOSFET
|
|
宽度
|
5.5 mm
|
|
商标
|
Semelab / TT Electronics
|
|
Pd-功率耗散
|
30 W
|
|
产品类型
|
RF MOSFET Transistors
|
|
工厂包装数量
|
50
|
|
子类别
|
MOSFETs
|
|
Vgs - 栅极-源极电压
|
20 V
|
|
Vgs th-栅源极阈值电压
|
1 V to 7 V
|
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