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BSM75GD120DN2
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BSM75GD120DN2参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
制造商
|
Infineon
|
|
产品种类
|
IGBT 模块
|
|
RoHS
|
是
|
|
产品
|
IGBT Silicon Modules
|
|
配置
|
Hex
|
|
集电极—发射极最大电压 VCEO
|
1200 V
|
|
集电极—射极饱和电压
|
2.5 V
|
|
在25 C的连续集电极电流
|
103 A
|
|
栅极—射极漏泄电流
|
320 nA
|
|
Pd-功率耗散
|
520 W
|
|
封装 / 箱体
|
EconoPACK 3A
|
|
最小工作温度
|
- 40 C
|
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
|
封装
|
Tray
|
|
高度
|
17 mm
|
|
长度
|
122 mm
|
|
宽度
|
62 mm
|
|
商标
|
Infineon Technologies
|
|
安装风格
|
Chassis Mount
|
|
栅极/发射极最大电压
|
20 V
|
|
产品类型
|
IGBT Modules
|
|
工厂包装数量
|
10
|
|
子类别
|
IGBTs
|
|
零件号别名
|
BSM75GD120DN2BOSA1 SP000100364
|
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