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APTGF90DA60CT1G
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APTGF90DA60CT1G
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APTGF90DA60CT1G参数信息
参数 | 参数值 |
包装:
|
12Case SP1
|
配置:
|
Single
|
引脚数:
|
12
|
最大集电极发射极电压:
|
600 V
|
最大连续集电极电流:
|
110 A
|
最大栅极发射极电压:
|
±20 V
|
安装:
|
Through Hole
|
标准包装:
|
Bulk
|
输入电容(Cies ) @ Vce时:
|
4.3nF @ 25V
|
电流 - 集电极( Ic)(最大):
|
110A
|
IGBT类型:
|
NPT
|
安装类型:
|
Chassis Mount
|
电流 - 集电极截止(最大):
|
250µA
|
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时:
|
2.5V @ 15V, 100A
|
电压 - 集电极发射极击穿(最大):
|
600V
|
供应商设备封装:
|
SP1
|
功率 - 最大:
|
416W
|
封装/外壳:
|
SP1
|
输入:
|
Standard
|
NTC热敏电阻:
|
Yes
|
RoHS指令:
|
Lead free / RoHS Compliant
|
天天IC网为您提供了由microsemi生产的APTGF90DA60CT1G的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有APTGF90DA60CT1G参数信息、推荐的产品和APTGF90DA60CT1G数据手册可供查阅。APTGF90DA60CT1G功能描述为: Trans IGBT Module N-CH 600V 110A 12-Pin Case SP1,你可以查阅APTGF90DA60CT1G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。