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APTC90SKM60CT1G
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APTC90SKM60CT1G
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APTC90SKM60CT1G参数信息
| 参数 | 参数值 |
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FET 类型：
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N 沟道
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技术：
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）：
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900V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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59A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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10V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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3.5V @ 6mA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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540nC @ 10V
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Vgs（最大值）：
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±20V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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13600pF @ 100V
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FET 功能：
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超级结
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功率耗散（最大值）：
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462W（Tc）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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60 毫欧 @ 52A、 10V
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工作温度：
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-40°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型：
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底座安装
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供应商器件封装：
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SP1
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封装/外壳：
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SP1
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无铅情况/RoHs：
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无铅/符合RoHs
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