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AON6411_001
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AON6411_001
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AON6411_001参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
FET 类型：
|
P 沟道
|
|
技术：
|
MOSFET（金属氧化物）
|
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漏源电压（Vdss）：
|
20V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
|
47A（Ta），85A（Tc）
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|
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
|
2.5V，10V
|
|
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
|
1.3V @ 250µA
|
|
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
|
330nC @ 10V
|
|
Vgs（最大值）：
|
±12V
|
|
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
|
10290pF @ 10V
|
|
功率耗散（最大值）：
|
7.3W（Ta），156W（Tc）
|
|
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
|
2.1 毫欧 @ 20A，10V
|
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工作温度：
|
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
安装类型：
|
表面贴装
|
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供应商器件封装：
|
8-DFN（5x6）
|
|
封装/外壳：
|
8-PowerSMD，扁平引线
|
|
无铅情况/RoHs：
|
无铅/符合RoHs
|
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