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ZXT13N20DE6TA PDF资料
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- 制造商：ZETEX[Zetex Semiconductors]
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- 描述：20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT13N20DE6TA技术规格
- 制造商:Diodes Incorporated
- 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
- RoHS:是
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:SOT-23-6
- 晶体管极性:NPN
- 配置:Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
- 集电极—基极电压 VCBO:50 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO:7.5 V
- 集电极—射极饱和电压:170 mV
- 最大直流电集电极电流:4.5 A
- 增益带宽产品fT:96 MHz
- 最小工作温度:- 55 C
- 最大工作温度:+ 150 C
- 系列:ZXT13N
- 直流电流增益 hFE 最大值:250 at 10 mA, 2 V
- 高度:1.3 mm
- 长度:3.1 mm
- 封装:Cut Tape
- 封装:MouseReel
- 封装:Reel
- 宽度:1.8 mm
- 商标:Diodes Incorporated
- 集电极连续电流:4.5 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min:250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 5 A, 2 V, 15 at 15 A, 2 V
- Pd-功率耗散:1.1 W
- 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
- 工厂包装数量:3000
- 子类别:Transistors
- 单位重量:6.500 mg
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