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  • 深圳市天卓伟业电子有限公司


    4

    0755-8327578913528438311Camille华强北街道华强广场A座20J11012046

  • TK34E10N1,S1X
  • Toshiba
  • 原装
  • 2019+ 
  • 484 
  • 原装正品 
  • Email:3004204729@qq.com
  • 深圳市艾睿创芯科技有限公司


    4

    0755-82795979,8279591918818788157雷先生,朱小姐0755-83323509深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院2栋50511011976

  • TK34E10N1,S1X
  • TOSHIBA
  • TO-220
  • 18+ 
  • 20000 
  • 买原装正品,找艾睿创芯 价格优势 现货库存 
  • skype:18818788157Email:2572975757@qq.com
  • 深圳市汇思成科技有限公司


    4

    0755-23619322-800113632962857孙小姐0755-23824366深圳市福田区中航路国利大厦140911011713

  • TK34E10N1,S1X
  • Toshiba
  • TO-220
  • 18+ 
  • 5000 
  • 全新原装进口,一片起订 
  • Email:33439029@qq.com
  • 深圳市科美奇科技有限公司


    12

    0755-83218135,83214146【13724250287】朱先生,汪小姐0755-83201923赛格广场30楼3002室【公司非常欢迎您的到来】11011904

  • TK34E10N1,S1X
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • 原厂原包
  • 18+ 
  • 426 
  • 原装正品 
  • Email:szkemeiqi@163.com
  • 安富利电子(西安)有限公司


    4

    029-8881164418091841740/19829683315Wall王,Queenie屈高新区金桥国际广场A座10701室安富利电子(西安)有限公司11011994

  • TK34E10N1,S1X
  • Toshiba
  • 2019+ 
  • 16800 
  • ┃安富利代理商┃支持FAE上门┃支持项目注册┃支持原厂排单┃ 
  • Email:wall@avnet.email
  • 深圳市芯幂科技有限公司


    4

    133-0253950113302539501吴生深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824001011808

  • TK34E10N1,S1X
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • 原厂原包
  • 19+ 
  • 5660 
  • 只做原装 
  • Email:1599704250@qq.com
TK34E10N1,S1X相同型号技术资料
  • TK34E10N1,S1X(S
  • 通道类型N最大连续漏极电流75 A最大漏源电压100 V最大漏源电阻值9.5 m0hms最大栅阈值电压4V最小栅阈值电压2V最大栅源电压-20 V、+20 V封装类型TO-220安装类型通孔引脚数目3通道模式增强类别开关调节器最大功率耗散103 W每片芯片元件数目1尺寸10.16 x 4.45 x 15.1mm宽度4.45mm晶体管材料Si典型栅极电荷@Vgs38 nC @ 10 V高度15.1mm系列U-MOSVIII-H典型输入电容值@Vds2600 pF @ 50 V典型关断延迟时间50 ns典型接通延迟时间31 ns正向二极管电压1.2V最高工作温度+150 °C长度10.16mm无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs
  • TK-350
  • 制造商:Jonard Industries产品种类:工具套件与外壳发货限制:Mouser目前不销售该产品。封装:Bulk商标:Jonard Industries产品类型:Tool Kits & Cases工厂包装数量:1子类别:Tools单位重量:366.843 g
  • TK35A08N1,S4X
  • 制造商:Toshiba产品种类:MOSFETRoHS:详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FP-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:80 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:10 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:4 VVgs - 栅极-源极电压:20 VQg-栅极电荷:25 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:30 W配置:Single通道模式:Enhancement高度:15 mm长度:10 mm系列:TK35A08N1晶体管类型:1 N-Channel宽度:4.5 mm商标:Toshiba产品类型:MOSFET工厂包装数量:50子类别:MOSFETs单位重量:6 g
  • TK35A08N1,S4X(S
  • 通道类型N最大连续漏极电流35 A最大漏源电压80 V最大漏源电阻值12.2 m0hms最大栅阈值电压4V最大栅源电压-20 V、+20 V封装类型TO-220SIS安装类型通孔引脚数目3晶体管配置单通道模式增强类别功率 MOSFET最大功率耗散30 W每片芯片元件数目1晶体管材料Si典型栅极电荷@Vgs25 nC @ 10 V典型输入电容值@Vds1700 pF @ 40 V最高工作温度+150 °C典型接通延迟时间28 ns宽度4.5mm高度15mm系列TK尺寸10 x 4.5 x 15mm长度10mm典型关断延迟时间35 ns无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs
  • TK35A65W,S5X
  • 制造商:Toshiba产品种类:MOSFETRoHS:详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FP-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:68 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:3.5 VVgs - 栅极-源极电压:30 VQg-栅极电荷:100 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:50 W配置:Single通道模式:Enhancement高度:15 mm长度:10 mm系列:TK35A65W晶体管类型:1 N-Channel宽度:4.5 mm商标:Toshiba产品类型:MOSFET工厂包装数量:50子类别:MOSFETs单位重量:6 g
  • TK35A65W,S5X(M
  • 无铅情况/RoHs否
TK34E10N1,S1X PDF文件
  • 描述:
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TK34E10N1,S1X技术信息
TK34E10N1,S1X参考图片_天天IC网

图像仅供参考,请参阅规格书

  • 数据列表:TK34E10N1 -
  • 特色产品:Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET Toshiba - U-MOSⅧ-H MOSFETs
  • 标准包装:50
  • 类别:分立半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 17A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 500µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2600pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:103W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • 其它名称:TK34E10N1S1X
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