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筛选结果:IRFZ24VLPBF供应商共有1家随时为您服务

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  • 艾润(香港)电子有限公司


    7

    0755-25320933,2532096613302476946 ,13316554588曾妮0755-25320933福华路京海花园7K专业为一些工厂,终端客户,或是贸易方,做电子元器件产品配套服务11011983

  • IRFZ24VLPBF
  • 原厂品牌 
  • 原厂外观 
  • 18+ 
  • 24500 
  • 原装进口正品,常备现货 
  • Email:3005667927@QQ.COM
IRFZ24VLPBF相同型号技术资料
  • IRFZ24VPBF
  • 封装:TO-220-3 (Straight Leads)引脚数:3功耗:44.0 W上升时间:46.0 ns额定电压(DC):60.0 V极性:N-Channel漏源极电压(Vds):60.0 V额定电流:17.0 A连续漏极电流(Ids):17.0 A零部件系列:IRFZ24V安装方式:Through Hole包装方式:BulkREACH SVHC标准:No SVHC含铅标准:Lead FreeRoHS标准:Compliant产品生命周期:Not Listed by Manufacturer
  • IRFZ24VSPBF
  • 典型关断延迟时间21 ns典型接通延迟时间7.8 ns典型栅极电荷@Vgs23 nC V @ 10典型输入电容值@Vds590 pF V @ 25安装类型表面贴装宽度9.65mm封装类型D2PAK尺寸10.67 x 9.65 x 4.83mm引脚数目3最低工作温度-55 °C最大功率耗散44000 mW最大栅源电压±20 V最大漏源电压60 V最大漏源电阻值0.06最大连续漏极电流17 A最高工作温度+175 °C每片芯片元件数目1类别功率 MOSFET通道模式增强通道类型N配置单长度10.67mm高度4.83mm
  • IRFZ30
  • FET 类型:N 沟道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):50V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1600pF @ 25V功率耗散(最大值):74W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 16A,10V工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB封装/外壳:TO-220-3无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
  • IRFZ30PBF
  • FET 类型:N 沟道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):50V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1600pF @ 25V功率耗散(最大值):74W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 16A,10V工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB封装/外壳:TO-220-3无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
  • IRFZ32
  • 制造商:International Rectifier产品种类:MOSFETId-连续漏极电流:25 AVds-漏源极击穿电压:50 VRds On-漏源导通电阻:70 mOhms晶体管极性:N-ChannelVgs-栅源极击穿电压 :20 V最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:75 W安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3商标:International Rectifier通道模式:Enhancement配置:Single下降时间:16 ns最小工作温度:- 55 C上升时间:16 ns典型关闭延迟时间:23 ns典型接通延迟时间:12 ns
  • IRFZ34
  • FET 类型:N 沟道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):46nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1200pF @ 25V功率耗散(最大值):88W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 18A,10V工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB封装/外壳:TO-220-3无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
IRFZ24VLPBF PDF文件
  • 描述:HEXFET Power MOSFET
  • 生产厂商:IRF[International Rectifier]
  • 厂商logo:
  • 厂商网址:http://www.irf.com
  • PDF大小:267.45 Kbytes
  • PDF页数:共10页
  • 下载地址:IRFZ24VLPBF的PDF下载地址_天天IC网
IRFZ24VLPBF技术信息

图像仅供参考,请参阅规格书

  • XPackage:TO-262-3 (Straight Leads)
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