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  • 国丰临科技(深圳)有限公司认证

    4

    0755-8860448418038004416国利大厦2701室11016578

    IRF60N06

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    1万

  • 柒号芯城电子商务(深圳)有限公司认证

    12

    0755-83663056189293740370755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

    IRF60N06

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    1万

  • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

    6

    0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

    IRF60N06

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    1万

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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    0755-8257321018124040553杨丹妮0755-82573210深圳市福田区中航路都会轩240611012658

  • IRF60N06
  • IR 
  • TO-220 
  • 19+ 
  • 18000 
  • 终端可以免费供样,支持BOM配单!原装正品 

  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

  • IRF60N06
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 4658000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    7

    0755-84877094“17503034873”13725596657付小姐深圳市福田区振兴西路华康大厦二栋614室11012598

  • IRF60N06
  • ST 
  • TO-220 
  • 20+ 
  • 5690 
  • 原装进口,支持技术服务,提供样品 

  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • IRF60N06
  • IR 
  • TO-220 
  • 2021+ 
  • 36530 
  • 专业配单100%原装进口 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • IRF60N06
  • ST 
  • TO-220 
  • 最新批? 
  • 12880 
  • 原厂原装现货匹配 

  • 深圳市斌腾达科技有限公司

    8

    0755-8281508213510738676朱正军0755-82815039深圳市福田区华强北上步工业区501栋51811012082

  • IRF60R217
  • INFINE0N 
  • DPAK (TO-252) 
  • 18+/19+ 
  • 32568 
  • 支持BOM表配单,PCB,PCBA一站式配套服务 

  • 深圳市壹芯创科技有限公司

    9

    0755-82796631,0755-8278008213418647129,15875588575朱先生,杨小姐深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室专业电子元器件一站式配单服务,BOM表报价;公司大量原装现货库存!货源可靠!质量保证! ★壹“芯”为您,创造价值★11011687

  • IRF60R217
  • Infineon/IR 
  • 原装 
  • 24+ 
  • 1800 
  • 原厂授权代理★★价格优势★★现货库存★★ 

  • 深圳市芯幂科技有限公司

    9

    133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

  • IRF60R217
  • Infineon 
  • D-Pak 
  • 19+ 
  • 5660 
  • 只做原装 

IRF60R217 PDF资料
  • 资料下载
  • 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
  • PDF文件大小:476.58 Kbytes
  • PDF文件页数:共11页
  • 描述:Battery powered circuits
IRF60R217技术规格
  • 封装/外壳:DPAK
  • FET 类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):58A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 50µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):66nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2170pF @ 25V
  • 功率耗散(最大值):83W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):9.9 毫欧 @ 35A,10V
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • 系列:StrongIRFET™
  • FET类型:N 沟道
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):58A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.7V @ 50µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):66nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2170pF @ 25V
  • 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):9.9 毫欧 @ 35A,10V
  • 极性Polarity:N-CH
  • 漏源极击穿电压VDSS:60V
  • 连续漏极电流ID:58A
  • 供应商器件封装:D-Pak
  • 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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