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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司


    4

    0755-23941632-8322600513723794312朱先生0755-83249919深圳市福田区上步工业区201栋530室11011873

  • IPB65R190CFDATMA1
  • INFINEON 
  • 原厂封装 
  • 最新批号 
  • 865000 
  • 一级代理 特价现货 
  • Email:PHZHUJUNWEI@163.COM
  • 深圳市三砖科技有限公司


    4

    0755-8324991918823887255,13152699590黄奕锦深圳市福田区华强北华强北街道赛格科技园西座11011911

  • IPB65R190CFDATMA1
  • INFINEON 
  • 原厂 
  • 2018+ 
  • 9500 
  • MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2 
  • Email:22189018@qq.com
  • 深圳市汇思成科技有限公司


    4

    0755-23619322-800315099948331邹先生0755-23824366深圳市福田区中航路国利大厦140911011713

  • IPB65R190CFDATMA1
  • Infineon 
  • D2PAK (TO-263AB) 
  • 18+ 
  • 4000 
  • 全新原装进口,一片起订 
  • Email:33439029@qq.com
  • 安富利电子(西安)有限公司


    4

    029-8881164418091841740/19829683315Wall王,Queenie屈高新区金桥国际广场A座10701室安富利电子(西安)有限公司11011994

  • IPB65R190CFDATMA1
  • Infineon Technologies 
  •  
  • 2019+ 
  • 16800 
  • ┃安富利代理商┃支持FAE上门┃支持项目注册┃支持原厂排单┃ 
  • Email:wall@avnet.email
  • 深圳市斌腾达科技有限公司


    4

    0755-8281508213510738676,13510306069朱正军0755-82815039华强北路赛格科技园4栋西5楼C2611012082

  • IPB65R190CFDATMA1
  • Infineon Technologies 
  • TO-263 
  • 18+ 
  • 8000 
  • 原装正品 假一赔十 支持BOM表配单,PCB,PCBA一站式配套服务 
  • Email:zhujunbin163@163.com
  • 深圳市天卓伟业电子有限公司


    4

    0755-8327578913528438311Camille华强北街道华强广场A座20J11012046

  • IPB65R190CFDATMA1
  • Infineon Technologies 
  • 原装 
  • 2019+ 
  • 2000 
  • 原装正品 
  • Email:3004204729@qq.com
  • 深圳市芯幂科技有限公司


    4

    133-0253950113302539501吴生深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824001011808

  • IPB65R190CFDATMA1
  • Infineon 
  • D2PAK (TO-263AB) 
  • 19+ 
  • 5660 
  • 只做原装 
  • Email:1599704250@qq.com
  • 深圳市行进电子有限公司


    7

    0755-8329182413652344887陈小姐0755-23465658福田区福虹路世界贸易广场C座1801室主要产品线包括:IR,ST,FSC,NXP,TI,ATMEL,NS,华为海思,华邦,英飞凌,ADI,SONY,SANYO,TOSHIBA, RENESAS 等等国际著名芯片11010679

  • IPB65R190CFDATMA1
  • 期货Infineon 
  • ORIGINAL 
  • 1514+ 
  • 2000 
  • 原装现货在世贸假一赔百最低价陈妙旋13652344887 
  • Email:chen111@c-march.com
IPB65R190CFDATMA1相同型号技术资料
  • IPB65R225C7
  • 制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:199 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:3 VVgs - 栅极-源极电压:20 VQg-栅极电荷:20 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:63 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:CoolMOS封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:4.4 mm长度:10 mm系列:CoolMOS C7晶体管类型:1 N-Channel宽度:9.25 mm商标:Infineon Technologies下降时间:10 ns产品类型:MOSFET上升时间:6 ns工厂包装数量:1000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:48 ns典型接通延迟时间:9 ns零件号别名:IPB65R225C7ATMA1 SP000992480单位重量:4 g
  • IPB65R225C7ATMA1
  • 制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:199 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:3 VVgs - 栅极-源极电压:20 VQg-栅极电荷:20 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:63 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:CoolMOS封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:4.4 mm长度:10 mm系列:CoolMOS C7晶体管类型:1 N-Channel宽度:9.25 mm商标:Infineon Technologies下降时间:10 ns产品类型:MOSFET上升时间:6 ns工厂包装数量:1000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:48 ns典型接通延迟时间:9 ns零件号别名:IPB65R225C7 SP000992480单位重量:4 g
  • IPB65R280C6
  • 封装/外壳:PG-TO263-3RoHS:Y技术:Si安装风格:SMD/SMT通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650VId-连续漏极电流:13.8ARds On-漏源导通电阻:250mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:2.5VVgs - 栅极-源极电压:20VQg-栅极电荷:45nC最小工作温度:-55C最大工作温度:+150C配置:SinglePd-功率耗散:104W通道模式:Enhancement封装:CutTape高度:4.4mm长度:10mm系列:CoolMOSC6晶体管类型:1N-Channel宽度:9.25mm下降时间:12nsMXHTS:85412999上升时间:11ns典型关闭延迟时间:105ns典型接通延迟时间:13ns商标名:CoolMOS无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
  • IPB65R280C6ATMA1
  • FET 类型:N 沟道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):650V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.8A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):45nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):950pF @ 100V功率耗散(最大值):104W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):280 毫欧 @ 4.4A,10V工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装供应商器件封装:D²PAK(TO-263AB)封装/外壳:PG-TO263-3通道类型:N最大连续漏极电流:13.8 A最大漏源电压:700 V最大漏源电阻值:0.28 0hms最大栅阈值电压:3.5V最小栅阈值电压:2.5V最大栅源电压:-20 V、+20 V封装类型:D2PAK (TO-263)引脚数目:3晶体管配置:单通道模式:增强类别:功率 MOSFET最大功率耗散:104 W高度:4.57mm每片芯片元件数目:1尺寸:10.31 x 9.45 x 4.57mm宽度:9.45mm系列:CoolMOS C6晶体管材料:Si典型栅极电荷@Vgs:45 nC @ 10 V典型输入电容值@Vds:950 pF @ 100 V典型关断延迟时间:105 ns典型接通延迟时间:13 ns最低工作温度:-55 °C最高工作温度:+150 °C长度:10.31mm无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
  • IPB65R280E6
  • 制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 V配置:Single商标名:CoolMOS封装:Cut Tape封装:Reel高度:4.4 mm长度:10 mm系列:CoolMOS E6晶体管类型:1 N-Channel宽度:9.25 mm商标:Infineon Technologies产品类型:MOSFET工厂包装数量:1000子类别:MOSFETs零件号别名:IPB65R280E6ATMA1 IPB65R280E6XT SP000795274单位重量:2.200 g
  • IPB65R280E6ATMA1
  • 制造商:Infineon产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:13.8 ARds On-漏源导通电阻:280 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:3 VVgs - 栅极-源极电压:30 VQg-栅极电荷:45 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:104 W配置:Single商标名:CoolMOS封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:4.4 mm长度:10 mm系列:CoolMOS E6晶体管类型:1 N-Channel宽度:9.25 mm商标:Infineon Technologies下降时间:9 ns产品类型:MOSFET上升时间:9 ns工厂包装数量:1000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:76 ns典型接通延迟时间:11 ns零件号别名:IPB65R280E6 SP000795274单位重量:2 g
IPB65R190CFDATMA1 PDF文件
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IPB65R190CFDATMA1技术信息
IPB65R190CFDATMA1参考图片_天天IC网

图像仅供参考,请参阅规格书

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-263-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:650 V
  • Id-连续漏极电流:17.5 A
  • Rds On-漏源导通电阻:171 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:68 nC
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:151 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:CoolMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:4.4 mm
  • 长度:10 mm
  • 系列:CoolMOS CFDA
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:9.25 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:6.4 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:8.4 ns
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:53.2 ns
  • 典型接通延迟时间:12 ns
  • 零件号别名:IPB65R190CFD IPB65R19CFDXT SP000905378
  • 单位重量:4 g
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