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    • 柒号芯城电子商务（深圳）有限公司认证

      12年

      0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

      HAT1047R-RL-E

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

      6年

      0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480：微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

      HAT1047R-RL-E

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 国丰临科技（深圳）有限公司认证

      4年

      0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578

      HAT1047R-RL-E

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    更多收回

    • 深圳市辰芯伟业科技有限公司

      9年

      0755-8323836013603072128陈0755-82716600华强北路新华强广场B座27D01011851

    • HAT1047R-RL-E
    • RenesasTechnology　
    • SOP8　
    • 22+　
    • 50000　
    • 全新原装正品！现货库存　

    • 深圳市芯幂科技有限公司

      9年

      133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

    • HAT1047R-RL-E
    • RENESAS(HITACHI)　
    • SOP8　
    • 18+　
    • 6520　
    • 原装正品　

    • 深圳市赛美科科技有限公司

      12年

      0755-2830932313480875861雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595诚芯做事，诚心做人，您身边的电子元器件搬运工，QQ临时会话不稳定，没有回复请加微信或打电话11012165

    • HAT1047RWS-E
    • RenesasElectronicsAmerica　
    • 原装　
    • 最新　
    • 28965　
    • 一级代理，只做原装，价格优势，长期供货。　

    • 芯莱德电子（香港）有限公司

      10年

      1335298541913352985419，19076157484杨先生深圳市福田区航都大厦10L11016884

    • HAT1047R-VB
    • VBsemi(微碧)　
    • SO-8　
    • 23+　
    • 18500　
    • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票　

    • 深圳市新启创电子科技有限公司

      6年

      0755-8398734313828773769胡双能深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A11013420

    • HAT1047RWS-E
    • RenesasElectronicsAmerica　
    • 原装　
    • 21+　
    • 12000　
    • 全新原装库存实单价优支持　

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    HAT1048R PDF资料
    • 资料下载
    • 制造商：RENESAS[Renesas Technology Corp]
    • PDF文件大小：37.99 Kbytes
    • PDF文件页数：共5页
    • 描述：Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
    HAT1047RWS-E技术规格
    • 包装标准卷带
    • 系列-
    • 零件状态停產
    • FET 类型P 通道
    • 技术MOSFET（金属氧化物）
    • 漏源电压（Vdss）30V
    • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）14A（Ta）
    • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
    • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）12 毫欧 @ 7A，10V
    • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 1mA
    • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）64nC @ 10V
    • Vgs（最大值）±20V
    • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3500pF @ 10V
    • FET 功能-
    • 功率耗散（最大值）2.5W（Ta）
    • 工作温度150°C
    • 安装类型表面贴装型
    • 供应商器件封装8-SOP
    • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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