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深圳市深创鑫科技有限公司
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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国丰临科技(深圳)有限公司
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
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FS35R12W1T4B11BOMA1 PDF资料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大小:669.64 Kbytes
- PDF文件页数:共9页
- 描述:IGBT MOD 1200V 65A 225W
FS35R12W1T4B11BOMA1技术规格
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值):65A
- 功率 - 最大值:225W
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.25V @ 15V,35A
- 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
- 不同 Vce 时的输入电容(Cies):2nF
- 电压,耦合至输入电容(Cies)@ Vce:25V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:AG-EASY1B-2
- 供应商器件封装:模块
- 配置:3 相桥接
- 晶体管配置:3 相
- 最大连续集电极电流:65 A
- 最大集电极-发射极电压:1200 V
- 最大栅极发射极电压:±20V
- 通道类型:N
- 安装类型:面板安装
- 封装类型:AG-EASY1B-1
- 最大功率耗散:225 W
- 尺寸:33.8 x 48 x 12mm
- 高度:12mm
- 长度:33.8mm
- 最高工作温度:+150 °C
- 宽度:48mm
- 最低工作温度:-40 °C
- 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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