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  • 柒号芯城电子商务(深圳)有限公司认证

    12

    0755-83663056189293740370755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

    FQB10N20LTM-NL

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    配单首选

    1万

  • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

    6

    0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

    FQB10N20LTM-NL

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    -
    配单首选

    1万

  • 国丰临科技(深圳)有限公司认证

    4

    0755-8860448418038004416国利大厦2701室11016578

    FQB10N20LTM-NL

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    配单首选

    1万

更多收回
  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

  • FQB10N20TM
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 510000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市斌腾达科技有限公司

    8

    0755-8281508213510738676朱正军0755-82815039深圳市福田区华强北上步工业区501栋51811012082

  • FQB10N20TM
  • ON Semiconductor 
  • TO-263 
  • 18+ 
  • 8000 
  • 原装正品 假一赔十 支持BOM表配单,PCB,PCBA一站式配套服务 

  • 深圳市芯幂科技有限公司

    9

    133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

  • FQB10N20TM
  • FSC 
  • TO-263 
  • 19+ 
  • 5660 
  • 只做原装 

FQB10N50CFTM_WS PDF资料
  • 资料下载
  • 制造商:onsemi
  • PDF文件大小:972.96 Kbytes
  • PDF文件页数:共9页
  • 描述:Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin D2PAK T/R
FQB10N20TM技术规格
  • FET 类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):670pF @ 25V
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):360 毫欧 @ 5A,10V
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:D²PAK(TO-263AB)
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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