筛选结果:供应商共有家随时为您服务
- 供应商
- 型号
- 品牌
- 封装
- 批号
- 库存数量
- 备注
- 询价
-
深圳市深创鑫科技有限公司
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
FF45MR12W1M1B11BOMA1
配单
直通车
-
-
-
-
-
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
FF45MR12W1M1B11BOMA1
配单
直通车
-
-
-
-
-
国丰临科技(深圳)有限公司
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
FF45MR12W1M1B11BOMA1
配单
直通车
-
-
-
-
更多收回
FF45MR12W1M1B11BOMA1 PDF资料
- 资料下载
- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大小:465.97 Kbytes
- PDF文件页数:共8页
- 描述:分立半导体模块
FF45MR12W1M1B11BOMA1技术规格
- 制造商:Infineon
- 产品种类:分立半导体模块
- RoHS:是
- 产品:Power MOSFET Modules
- 类型:EasyDUAL Module
- Vf - 正向电压:4.6 V
- Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V
- 安装风格:Screw Mount
- 最小工作温度:- 40 C
- 最大工作温度:+ 150 C
- 封装:Tray
- 配置:Dual
- 商标:Infineon Technologies
- 晶体管极性:N-Channel
- 下降时间:16.4 ns
- Id-连续漏极电流:25 A
- 产品类型:Discrete Semiconductor Modules
- Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms
- 上升时间:6.3 ns
- 工厂包装数量:24
- 子类别:Discrete Semiconductor Modules
- 典型关闭延迟时间:35.2 ns
- 典型接通延迟时间:8.2 ns
- Vds-漏源极击穿电压:1200 V
- Vgs th-栅源极阈值电压:3.45 V
- 零件号别名:SP001726338
购买、咨询产品请填写询价信息:(3分钟左右您将得到回复)