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    • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

      6年

      0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480：微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

      FDFS2P106R

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 国丰临科技（深圳）有限公司认证

      4年

      0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578

      FDFS2P106R

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 柒号芯城电子商务（深圳）有限公司认证

      12年

      0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

      FDFS2P106R

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    更多收回

    • 深圳市芯幂科技有限公司

      9年

      133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

    • FDFS2P753
    • F　
    • SOP8　
    • 18+　
    • 6520　
    • 原装正品　

    • 深圳市芯幂科技有限公司

      9年

      133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

    • FDFS2P7532
    • FAIRCHILD　
    • SOP-8　
    • 18+　
    • 6520　
    • 原装正品　

    • 深圳市芯幂科技有限公司

      9年

      133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

    • FDFS2P753AZ
    • Fairchild Semiconductor　
    • 8-SOIC　
    • 19+　
    • 5660　
    • 只做原装　

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    FDFS2P753AZ PDF资料
    • 资料下载
    • 制造商：FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
    • PDF文件大小：236.98 Kbytes
    • PDF文件页数：共7页
    • 描述：Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115mΩ
    FDFS2P753AZ技术规格
    • FET 类型：P 沟道
    • 技术：MOSFET（金属氧化物）
    • 漏源电压（Vdss）：30V
    • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A（Ta）
    • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
    • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
    • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 10V
    • Vgs（最大值）：±25V
    • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：455pF @ 15V
    • FET 功能：肖特基二极管（隔离式）
    • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
    • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：115 毫欧 @ 3A，10V
    • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    • 安装类型：表面贴装
    • 供应商器件封装：8-SO
    • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
    • 无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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