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  • 国丰临科技(深圳)有限公司认证

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    0755-8860448418038004416国利大厦2701室11016578

    FDB81602LZ

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  • 柒号芯城电子商务(深圳)有限公司认证

    12

    0755-83663056189293740370755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

    FDB81602LZ

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    1万

  • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

    6

    0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

    FDB81602LZ

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    1万

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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    18924630310刘清影华强北路1019号华强广场A16楼11012351

  • FDB81602LZ
  • FAIRCHILD 
  • TO-263 
  • 19+ 
  • 7500 
  • 代理渠道!终端免费索样! 

  • 深圳市芯幂科技有限公司

    9

    133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

  • FDB81602LZ
  • FAIRCHILD 
  • TO-263 
  • 18+ 
  • 6520 
  • 原装正品 

  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    7

    0755-84877094“17503034873”13725596657付小姐深圳市福田区振兴西路华康大厦二栋614室11012598

  • FDB8160-F085
  • ONSemiconductor 
  • 原装 
  • 20+ 
  • 5000 
  • 一级代理 

  • 深圳市安富世纪科技有限公司

    7

    1892463031018924630310刘清影深圳市福田区华强北路1019号华强广场A座17E 专营电子元器件,电容,电阻,钽电容,二三极管,IC电路11012657

  • FDB8160-F085
  • FAIRCHILD 
  • TO263 
  • 19+ 
  • 7500 
  • 代理渠道!终端免费索样! 

  • 深圳市斌腾达科技有限公司

    8

    0755-8281508213510738676朱正军0755-82815039深圳市福田区华强北上步工业区501栋51811012082

  • FDB8160-F085
  • ON Semiconductor 
  • TO-263AB 
  • 18+/19+ 
  • 800 
  • 支持BOM表配单,PCB,PCBA一站式配套服务 

FDB8441 PDF资料
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  • 制造商:FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
  • PDF文件大小:307.49 Kbytes
  • PDF文件页数:共7页
  • 描述:N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB8160-F085技术规格
  • FET 类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):243nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):11825pF @ 15V
  • 功率耗散(最大值):254W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.8 毫欧 @ 80A,10V
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:TO-263AB
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
  • 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:15V
  • 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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