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    • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

      6年

      0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480：微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

      F125ZS335J050V

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 柒号芯城电子商务（深圳）有限公司认证

      12年

      0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

      F125ZS335J050V

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 国丰临科技（深圳）有限公司认证

      4年

      0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578

      F125ZS335J050V

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    更多收回

    • 深圳市安富世纪电子有限公司

      7年

      0755-8257321018124040553杨丹妮0755-82573210深圳市福田区中航路都会轩240611012658

    • F126
    • M　
    • SOP14　
    • 19+　
    • 263　
    • 天卓伟业★原厂正规渠道★免费提供样品　

    • 汕头市明兴电子有限公司

      12年

      0754-8450778615913959769庄新兴路北林距离南安电子市场300米处现货热卖，大量库存，价格优势，诚信合作01010628

    • F126
    • ON　
    • SOIC-14　
    • 14+　
    • 380　
    • 大量库存，价格有优惠　

    • 汕头市明兴电子商行

      12年

      0754-8450778613417106601庄先生广东省汕头市潮阳区新兴路北林距离南安电子市场300米大量销售------74系列，324,339,40头,45头01010630

    • F126
    • ON　
    • SOIC-14　
    • 14+　
    • 380　
    • 价格优势，现货库存　

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    F1260 PDF资料
    • 资料下载
    • 制造商：POLYFET[Polyfet RF Devices]
    • PDF文件大小：38.93 Kbytes
    • PDF文件页数：共2页
    • 描述：PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR　
    F125ZS335J050V技术规格
    • 电介质：Metallized PPS
    • DF耗散系数：0.15% 1kHz, 0.3% 10kHz
    • 引线直径：0.5mm NOM
    • 特征：High Stability
    • 绝缘电阻：1.5152 GOhms
    • 宽度：16.5mm ±0.2mm
    • Max dV/dt：2 V/us
    • 包装：T&R
    • 额定温度：100C
    • RoHS：Yes
    • 系列：SMC/F125
    • T：7mm ±0.2mm
    • 工作温度：-55°C ~ 125°C
    • 电压 AC：30 VAC
    • 引脚宽度：15mm ±0.2mm
    • 电压：50V
    • 偏差：±5%
    • 容值：3.3uF
    • 封装/外壳：6560
    • 无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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