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  • 瀚佳科技(深圳)有限公司


    8

    0755-23140719/15323480719(微信同号)15323480719(微信同号)李先生0755-23140718深圳市福田区鼎城大厦1607 专业进口电子元器件代理供应商11011815

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  • AOS 
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    7

    0755-8279089013926529829,exmail:sam@678ic.com肖瑶0755-83867989深圳市福田区华富路1006号航都大厦11FG11010821

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  • 1373 
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  • 深圳市鹏顺兴科技有限公司


    8

    0755-23042311,0755-23063133,0755-2312330615820482989朱先生深圳市福田区华强北华康大厦2栋51511011865

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  • 深圳亚泰盈科电子有限公司


    4

    0755-8256682613928452225钟丽君,蔡丹婷0755-83759885深圳市福田区华强路佳和大厦A座2101室电子元器件配单 IC配单 bom表配单 电子配单 工厂电子料配单 深圳电子配单公司11011658

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  • skype:微信13725557767Email:284529703@QQ.COM
  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司


    4

    0755-8316778415013613919董先生华强广场C座18J11011910

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  • 一级代理 
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  • 568000 
  • 一级代理放心采购 
  • skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com
  • 深圳市汇莱威科技有限公司


    12

    82785677,8278537718923795677方小姐,林先生0755-82767689华富路1046号华康大夏2栋5楼只做原装正品,集成电路,光耦,二三极管,MOS管,大量现货供应商11012070

  • AON6406
  • Sinopower 
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  • 深圳市天卓伟业电子有限公司


    4

    0755-8327578913528438311Camille华强北街道华强广场A座20J11012046

  • AON6406
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  • 原装现货库存,接受订货,可开13%增值税发票 
  • Email:3004204729@qq.com
  • 深圳市华芯盛世科技有限公司


    4

    0755-23941632-8322600513723794312朱先生0755-83249919深圳市福田区上步工业区201栋530室11011873

  • AON6406
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  • 最新批号 
  • 865000 
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  • 深圳硅原半导体有限公司


    12

    0755-2361368518823676336 【正品 现货】李先生,金先生0755-23895558深圳市福田区振兴路205栋商务中心大厦5楼主营ADI 高端模拟数据转换,模拟,高速度采样,军品,工业级等配套服务!11012062

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  • 深圳诚思涵科技有限公司


    4

    0755-83015506,2394723615820783671朱先生,曾小姐0755-82815131深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室11011880

  • AON6406
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  • 深圳市芯泽盛世科技有限公司


    4

    0755-8322569218822854608李先生0755-83249919深圳市福田区上步工业区201栋530室11011794

  • AON6406
  • AO/万代 
  • DFN-856 
  • 18+ 
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  • Email:2119980731@qq.com
AON6406相同型号技术资料
  • AON6407
  • FET 类型:P 沟道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Ta),85A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):105nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3505pF @ 15V功率耗散(最大值):7.3W(Ta),83W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN(5x6)封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
  • AON6408
  • 最大门源电压:±20欧盟RoHS指令:Compliant最高工作温度:150通道模式:Enhancement标准包装名称:DFN安装:Surface Mount渠道类型:N封装:Tape and Reel最大漏源电阻:6.5@10V最低工作温度:-55最大漏源电压:30每个芯片的元件数:1最大功率耗散:31000供应商封装形式:DFNPCB:8最大连续漏极电流:25引脚数:8
  • AON6408L
  • FET 类型:N 沟道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Ta),25A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):36nC电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10VVgs(最大值):±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1900pF电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:15V功率耗散(最大值):2.4W(Ta),31W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 20A,10V工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN(5x6)封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
  • AON6410
  • FET 类型:N 沟道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta),24A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):28nC @ 10VVgs(最大值):±12V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1452pF @ 15V功率耗散(最大值):2W(Ta),35W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):12 毫欧 @ 20A,10V工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN(5x6)封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
  • AON6411
  • 标准包装:3,000类别:分立半导体产品家庭:FET - 单系列:-包装:带卷(TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动漏源极电压(Vdss):20V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):47A(Ta),85A(Tc)不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.1 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):330nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10290pF @ 10V功率 - 最大值:7.3W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线供应商器件封装:8-DFN(5x6)其它名称:785-1495-2
  • AON6411_001
  • FET 类型:P 沟道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):20V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):47A(Ta),85A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):330nC @ 10VVgs(最大值):±12V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):10290pF @ 10V功率耗散(最大值):7.3W(Ta),156W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.1 毫欧 @ 20A,10V工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN(5x6)封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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