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  • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

    6

    0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

    6421005312

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  • 柒号芯城电子商务(深圳)有限公司认证

    12

    0755-83663056189293740370755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

    6421005312

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    1万

  • 国丰临科技(深圳)有限公司认证

    4

    0755-8860448418038004416国利大厦2701室11016578

    6421005312

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    7

    0755-84877094“17503034873”13725596657付小姐深圳市福田区振兴西路华康大厦二栋614室11012598

  • 64-2105PBF
  • InfineonTechnologies 
  • 原装 
  • 20+ 
  • 5000 
  • 一级代理 

  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    7

    18924630310刘清影华强北路1019号华强广场A16楼11012351

  • 64-2105PBF
  • InfineonTechnologie 
  • TO-262 
  • 19+ 
  • 7500 
  • 代理渠道!终端免费索样! 

  • 深圳市芯幂科技有限公司

    9

    133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

  • 64-2105PBF
  • InfineonTechnologie 
  • TO-262 
  • 18+ 
  • 6520 
  • 原装正品 

64-2105PBF PDF资料
  • 资料下载
  • 制造商:Infineon Technologies
  • PDF文件大小:303.22 Kbytes
  • PDF文件页数:共13页
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
64-2105PBF技术规格
  • 包装管件
  • 系列HEXFET®
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)75A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)3.7 毫欧 @ 75A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)150nC @ 10V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)4340pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)200W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-262
  • 封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
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