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    全新AO4409 SOP8封装 MOS场效应管 P沟道 笔记本 液晶专用

    • AO44091.02024-03-04 05:32
    • AOS美国万代
    • 100片
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    深圳市美信源科技有限公司

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      8

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    • 营业执照：已审核
    • 经营品牌：ADI Maxim NXP ON ST Ti
    • 联　系人：陈桂祥
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    • 联系电话：0754-82812355，0754-82812883
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    • 地　　址：华强北新亚洲电子商城
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    AO4409数据手册
    AO4409参数信息
    参数参数值
    系列：
    AO
    FET类型：
    P 沟道
    技术：
    MOSFET（金属氧化物）
    电流-连续漏极（Id）（25°C时）：
    15A（Ta）
    驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：
    4.5V，10V
    不同Id时的Vgs（th）（最大值）：
    2.7V @ 250µA
    不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
    120nC @ 10V
    不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
    6400pF @ 15V
    Vgs（最大值）：
    ±20V
    功率耗散（最大值）：
    3.1W（Ta）
    不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：
    7.5 毫欧 @ 15A，10V
    工作温度：
    -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型：
    表面贴装
    封装/外壳：
    8-SOIC
    封装形式Package：
    SOIC
    极性Polarity：
    P-CH
    漏源极击穿电压VDSS：
    30V
    连续漏极电流ID：
    15A
    无铅情况/RoHs：
    无铅/符合RoHs
    商品详情
    规格
    FET 类型 P 沟道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 30V
    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Ta）
    驱动电压（最大 Rds _disibledevent="font-size:13px;border:1px solid #999999;"> 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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