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SI2302CDS-T1-GE3 Vishay FET单 MOSFET N 通道

  • SI2302CDS-T1-GE3请询价2024-02-29 05:19
  • VishaY
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深圳市辰芯伟业科技有限公司

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    9

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  • 经营品牌:ADI Altera Maxim ST Ti Xilinx
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SI2302CDS-T1-GE3数据手册
SI2302CDS-T1-GE3参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
Rds On-漏源导通电阻
57 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
5.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
860 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SI2302CDS-GE3
单位重量
8 mg
商品详情

制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI2302CDS-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
详细描述 表面贴装-N-沟道-20V-2.6A(Ta)-710mW(Ta)-SOT-23-3(TO-236)
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds _disibledevent="font-size:14px;"> 本公司从事于电子行业多年来,以“诚实守信、质量第一、价格合理、交货快捷”为宗旨,秉承着“实力雄厚,资源充足,库存真实”的优势,凭着良好的信誉和服务态度博得众多客户的信赖与支持!本公司愿与各界朋友携手合作,互惠互利,共创未来!


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