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30V HEXFET®Power mosfts

英飞凌30V HEXFET®Power mosfet专为体积小、效率高、热传导能力强的高密度应用而设计,非常适合笔记本电脑应用、服务器上使用的POL转换器,以及先进的电信和数据通信系统。这些30V HEXFET®Power mosfts比前几代提供了显著的栅氧化物改善,并提供了高性能,作为系统解决方案的一部分,以优化12VIN / 1-3VOUT DC-DC同步降压变换器的应用。低RDS(on)和低Qg使得这些英飞凌30V HEXFET®Power mosfet非常适合于负载点转换器应用。低导通损耗提高了全负荷效率和热工性能,而低开关损耗有助于在轻负荷下实现高效率。

产品种类:
MOSFET
RoHS:
 
 
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
5.3 A
Rds _disibledevent="col-xs-5"> 4.4 ns
深圳市三砖科技IR一级代理厂原装现货 联系人:卢先生 电话:13152699590

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