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  • 品   牌:FAIRCHILD型号:FDD850N10L
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产品详细信息

仙童半导体 N 沟道
PowerTrench® MOSFET

仙童半导体 N 沟道 PowerTrench® MOSFET采用仙童半导体先进的 PowerTrench® 工艺制造,该工艺专用于降低通态电阻同时保持出色的开关性能。仙童半导体 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 有多种漏源电压规格,从 30V 到 250V 不等。

FDD10N20LZ 和 FDD7N25LZ 是 N 沟道增强模式功率场效应晶体管,采用仙童专有的平面条纹、DMOS 技术生产。这种先进的技术专用于降低通态电阻,提供优越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。

FDMC6296 是单独的 N 沟道 MOSFET,采用高效散热的 MicroFET 封装,经特别设计可应用于负载点转换器中。该器件在 rDS(on) 和栅极电荷间取得最佳平衡,可用作高效“高侧”控制开关或“低侧”同步整流器。

产品种类:
MOSFET
RoHS:
 
 
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
100 V
Id-连续漏极电流:
15.7 A
Rds _disibledevent="col-xs-5"> MOSFET
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