英飞凌

30V HEXFET®Power mosfts

英飞凌30V HEXFET®Power mosfet专为体积小、效率高、热传导能力强的高密度应用而设计，非常适合笔记本电脑应用、服务器上使用的POL转换器，以及先进的电信和数据通信系统。这些30V HEXFET®Power mosfts比前几代提供了显著的栅氧化物改善，并提供了高性能，作为系统解决方案的一部分，以优化12VIN / 1-3VOUT DC-DC同步降压变换器的应用。低RDS(on)和低Qg使得这些英飞凌30V HEXFET®Power mosfet非常适合于负载点转换器应用。低导通损耗提高了全负荷效率和热工性能，而低开关损耗有助于在轻负荷下实现高效率。