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  • 产品 价格:
  • 品   牌:Vishay / Siliconix型号:SI1922EDH-T1-GE3
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产品详细信息

Vishay 集成MOSFET解决方案

Vishay集成MOSFET解决方案将各种元件集成到单一芯片中,可提高功率密度、提高效率、简化设计并降低物料清单 (BOM) 成本。这些单芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基势垒二极管和ESD保护等特性。这些MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术,具有低热阻。

Vishay集成MOSFET有各种配置和封装可供选择,可提高设计灵活性。封装包括TO-252、TO-262、TO-263、PowerPAK SO-8、D2PAK (TO-263)、DPAK和PowerPAK 1212-8W以及几种节省空间的小型封装。

应用

  • 系统电源、POL、低电流直流-直流以及笔记本同步压降应用
  • VRM
  • 电源模块
  • 图形卡
  • 服务器
  • 游戏机
  • 笔记本电脑
  • 电信设备
  • 负载开关
  • 适配器开关
  • 电池开关
  • 直流电机
  • 充电器开关
  • 电池保护
产品种类:
MOSFET
RoHS:
 
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-363-6
通道数量:
2 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
20 V
Id-连续漏极电流:
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻:
198 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压:
8 V
Qg-栅极电荷:
2.5 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.25 W
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
商标名:
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1 mm
 
长度:
2.1 mm
 
系列:
SI1
 
晶体管类型:
2 N-Channel
 
宽度:
1.25 mm
 
商标:
Vishay / Siliconix
 
正向跨导 - 最小值:
4 S
 
下降时间:
220 ns
 
产品类型:
MOSFET
 
上升时间:
80 ns

SI1922EDH-T1-GE3原装MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6深圳市三砖科技Vishay / Siliconix一级代理厂原装现货

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