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    FP25R12KT3

    • FP25R12KT3请询价2024-04-18 05:36
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    深圳市淘芯电子有限公司

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    • 营业执照：已审核
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    FP25R12KT3数据手册
    FP25R12KT3参数信息
    参数参数值
    制造商
    Infineon
    产品种类
    IGBT 模块
    产品
    IGBT Silicon Modules
    配置
    Hex
    集电极—发射极最大电压 VCEO
    1200 V
    在25 C的连续集电极电流
    40 A
    封装 / 箱体
    Econo 2
    最小工作温度
    - 40 C
    最大工作温度
    + 125 C
    封装
    Tray
    高度
    17 mm
    长度
    107.5 mm
    宽度
    45 mm
    商标
    Infineon Technologies
    安装风格
    Chassis Mount
    栅极/发射极最大电压
    20 V
    产品类型
    IGBT Modules
    工厂包装数量
    10
    子类别
    IGBTs
    零件号别名
    FP25R12KT3BOSA1 SP000100446
    单位重量
    180 g
    商品详情
    制造商: Infineon
    产品种类: IGBT 模块
    产品: IGBT Silicon Modules
    配置: Hex
    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
    在25 C的连续集电极电流: 40 A
    最大工作温度: + 125 C
    封装 / 箱体: Econo 2
    封装: Tray
    商标: Infineon Technologies
    栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
    最小工作温度: - 40 C
    安装风格: Screw
    工厂包装数量: 10

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