电源模块

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BSM300GB120DLC

  • BSM300GB120DLC请询价2024-03-15 05:23
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BSM300GB120DLC数据手册
BSM300GB120DLC参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
625 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2500 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM300GB120DLCHOSA1 SP000095949
商品详情
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:
商标: Infineon Technologies
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 625 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: 62 mm
封装: Tray
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
Pd-功率耗散: 2500 W
工厂包装数量: 10
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