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    IGBT模块

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    供 FF300R12KS4 英飞凌IGBT模块 回收IGBT模块

    • FF300R12KS49.992024-02-28 05:18
    • Infineon
    • 1
    • 389
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    东莞市鸿玖电子有限公司

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    • 会员资质：

      12

      年
    • 营业执照：未审核
    • 经营品牌：Fujitsu Infineon IR Ixys Mitsubishi Semikron
    • 联　系人：罗明
    • 在线联系：
    • 联系电话：0769-33369975
    • 电子邮件：251893474@qq.com
    • 手　　机：13556641230
    • 地　　址：东莞市东城区东城中路赛格电子市场1D009
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    FF300R12KS4数据手册
    FF300R12KS4参数信息
    参数参数值
    制造商
    Infineon
    产品种类
    IGBT 模块
    产品
    IGBT Silicon Modules
    配置
    Dual
    集电极—发射极最大电压 VCEO
    1200 V
    集电极—射极饱和电压
    3.75 V
    在25 C的连续集电极电流
    370 A
    栅极—射极漏泄电流
    400 nA
    Pd-功率耗散
    1950 W
    封装 / 箱体
    62 mm
    最小工作温度
    - 40 C
    最大工作温度
    + 125 C
    封装
    Tray
    高度
    30.9 mm
    长度
    106.4 mm
    宽度
    61.4 mm
    商标
    Infineon Technologies
    安装风格
    Chassis Mount
    栅极/发射极最大电压
    20 V
    产品类型
    IGBT Modules
    工厂包装数量
    10
    子类别
    IGBTs
    零件号别名
    FF300R12KS4HOSA1 SP000100774
    商品详情


    回收各种IGBT模块 库存积压IGBT，可控硅等 QQ:251893474  13556641230

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