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IPD65R400CE 优势现货

日期:2021-02-23 13:42    发布企业: 深圳市威尔健半导体有限公司

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FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 400毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 320µA
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 超级结
功率耗散(最大值) 118W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
漏源电压(Vdss) 650V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 710pF @ 100V


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