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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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TO-252-3
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晶体管极性:
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N-Channel
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通道数量:
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1 Channel
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Vds-漏源极击穿电压:
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40 V
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Id-连续漏极电流:
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90 A
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Rds On-漏源导通电阻:
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3.6 mOhms
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Vgs - 栅极-源极电压:
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- 20 V, + 20 V
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Vgs th-栅源极阈值电压:
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1.2 V
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Qg-栅极电荷:
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59 nC
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最小工作温度:
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- 55 C
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最大工作温度:
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+ 175 C
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Pd-功率耗散:
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94 W
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高度:
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2.3 mm
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长度:
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6.5 mm
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晶体管类型:
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1 N-Channel
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宽度:
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6.22 mm
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正向跨导 - 最小值:
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85 S
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下降时间:
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6 ns
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产品类型:
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MOSFET
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上升时间:
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5.4 ns
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2500
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