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IPD30N08S2L-21 实力库存,支持实单

日期:2021-02-23 13:39    发布企业: 深圳市威尔健半导体有限公司

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安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 20.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
下降时间: 11 ns
上升时间: 30 ns
2500

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