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IRFB4615PBF 到货60k

日期:2020-09-16 09:42    发布企业: 深圳市创芯弘科技有限公司

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 144 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
零件号别名: IRFB4615PBF SP001565882
单位重量: 6 g



 
图像 制造商零件编号 描述 库存
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设计用于
门驱动器
9,391
设计用于
门驱动器
5,057
设计用于
门驱动器
567
设计用于
门驱动器
7,570
设计用于
门驱动器
3,452
设计用于
门驱动器
4,040
门驱动器
4,590
设计用于
门驱动器
2,500
设计用于
门驱动器
3,573
设计用于
门驱动器
1,570

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